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产品简介: 铜箔衬底石墨烯薄膜是经过CVD法间接生长在铜箔基底上的高质量石墨烯薄膜，单层掩盖率达99%以上，是具有高导电、导热、迁徙率的通用型石墨烯薄膜。

规格参数

产品特征 ：

◆ 石墨烯掩盖率高，匀称性好

◆ 单晶尺寸匀称，生长缺陷少

◆ 导热性好，导电性高

使用范畴 ：

■ 电池电极质料

■ 均热质料

■ 科研用处

利用发起 ： 

● 利用前揭去产品外表掩护膜

●作为电池电极及均热质料裁剪为所需尺寸间接利用

●科研用处可经过干法或湿法将石墨烯转移到所需基底上举行利用